سامسونگ در زمینه فناوری حافظه پیشرفته در سطح جهانی پیشتاز است و اکنون قصد دارد با تولید نسل دوم حافظه های 8 گیگابایتی DRAM با پهنای باند بالا (HBM2) جایگاه خود را در این حوزه حفظ کند. اولین نسل حافظه های HBM2 سامسونگ، با عنوان Flarebolt شناخته می شود. این تراشه علاوه بر این که دستاورد بسیار مهمی محسوب می شود، صنعت تراشه های حافظه را نیز به طور کلی متحول کرده است. در حال حاضر اطلاعات دریافتی جدید نشان می دهد، تراشه جدید Aquabolt نیز عملکرد موفقی خواهد داشت.
قدرت بی نظیر تراشه HBM2 جدید سامسونگ
تراشه Aquabolt، نخستین حافظه با پهنای باند بالا می باشد که با سرعت 2.4 گیگابایت در هر ثانیه اطلاعات را انتقال می دهد. این بالاترین عملکرد حافظه DRAM در 1.2V می باشد و در مقایسه با نسل اول HBM2 تا 50 درصد بهبود عملکرد را نشان می دهد.
سامسونگ در رابطه با ارتقا این حافظه اظهار کرده، یک پکیج 8 گیگاباتی HBM2 در هر ثانیه با سرعت 307 گیگابایت، اطلاعات را انتقال می دهد که در مقایسه با تراشه GDDR5، سرعت تا 10 برابر افزایش داشته است.
از نظر سخت افزاری، سامسونگ برای ارتقا این تراشه، علاوه بر بهبود خنک کننده ها، میزان مسیرهای ارتباطی از طریق TSV (ارتباط از طریق سیلیکون) را افزایش داده است. همچنین یک لایه محافظتی جداگانه در قسمت زیرین پکیج DRAM طراحی شده تا قدرت این چیپ را افزایش دهد.
سامسونگ اظهار می کند، تراشه Aquabolt DRAM را برای تمام مصرف کنندگان IT در سراسر جهان ارائه خواهد داد، همچنین با استفاده از OEM ها، همواره فناوری حافظه را در حوزه محاسبات پیشرفته، هوش مصنوعی و پردازش گرافیکی بهبود خواهد بخشید.
