سامسونگ به تازگی آغاز همکاری خود با کمپانی آرم را اعلام کرده که موجب گسترش فناوری 7 و 5 نانومتری FinFET خواهد شد.
به گفته سامسونگ، انگیزه این همکاری این است که در دوران محاسبات با کارایی بالا، بتواند یک قدم جلوتر در این حوزه باقی بماند.
این همکاری بر مبنای پلتفورم Artisan Physical IP آرم و فرآیند ساخت 7LPP و 5LPE سامسونگ خواهد بود که عملکرد محاسباتی با بیش از 3 گیگاهرتز را برای پردازنده Cortex A76 آرم امکان پذیر خواهد کرد.
طبق اظهارات سامسونگ، به لطف بهره گیری از فرآیندهای پیشرفته ای که برای اولین بار فناوری پردازشی لیتوگرافی فوق بنفش EUV را امکان پذیر کرده است، فناوری 5LPE قادر است به دلیل جدیدترین نوآوری ها در فرآیند 7LPP فضای بیشتری را پوشش دهد.
در حالی که فرآیند پردازشی 7LPP برای مرحله اول تولید در نیمه دوم سال 2018 آماده می شود، سامسونگ همچنین اعلام کرده است که IP های اصلی نیز در حال توسعه می باشند و انتظار می رود در نیمه اول سال 2019 نهایی شوند.
این IP های اصلی به Artisan Physical IP آرم که فناوری تسریع سختی هسته است مربوط می باشند. ظاهرا این آی پی ها با جدیدترین هسته های پردازشی توسعه یافته اند که هدف آن ها انتقال داده های نسل بعدی سیستم بر تراشه پیشرفته از موبایل به مرکز داده های متمرکز می باشد.
پلتفورم های Artisan physical IP آرم شامل Logic IP، کامپایلر های حافظه و آی پی رابط کاربری بهبود یافته برای هر نوع فناوری پردازشی از فرآیند 250 نانومتری گرفته تا 7 نانومتری می باشند. به گفته آرم، این تولیدات، چالش ها برای رفع موانع و تسریع سخت کردن هسته و سرعت اجرای SoC را برطرف می سازد، همچنین خطرات پروژه برای طراحی IC را کاهش می دهد.
رایان سانگ یون لی، نایب رئیس بازاریابی بخش توسعه تراشه های سامسونگ الکترونیک اظهار می کند، همکاری با آرم در حوزه آی پی ها امری حیاتی است که قدرت محاسباتی با عملکرد بالا را افزایش می دهد و رشد هوش مصنوهی و قابلیت های آموزه های ماشینی را نیز تسریع می بخشد.
