سامسونگ و IBM در ماه جولای سال گذشته اعلام کردند که در حال ساخت رمی که 100,000 برابر سریع تر از NAND flash است می باشند که هیچ گاه تحلیل نمی رود.
این رم به علت مقاومت مغناطیسی بالا با عنوان MRAM شناخته می شود که با استفاده از تکنولوژی STT تولید خواهد شد و به کمپانی ها این امکان را می دهد تا برای ذخیره اطلاعات، تراشه هایی با گنجایش کم برای گوشی های موبایل، گجت های پوشیدنی و دستگاه های اینترنتی که مبتنی بر حافظه NAND flash هستند، بسازند.
حافظه MRAM انرژی بسیار کمی در حال ذخیره سازی اطلاعات مصرف می کند و زمانی که فعال نیست اصلا انرژی مصرف نمی کند.
طبق گزارش جدیدی، سامسونگ به زودی در مراسم Foundry Forum که در روز 3 خرداد ماه برگزار می شود رونمایی خواهد کرد و جزییات تکنولوژی تولید MRAM را به طور مفصل توضیح خواهد داد.
سامسونگ همچنین در حال کار بر روی نمونه ایی از پردازنده های چند هسته ایی است که مجهز به MRAM می باشد و به احتمال زیاد در همین مراسم معرفی خواهد شد.